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Hardware - DDR4 steht in den Startlöchern!

Von Marcel Walter - News vom 28.02.2012, 11:20 Uhr

Im Jahre 2013 soll bereits die nächste Generation des DDR-Speichers in den Startlöchern stehen. Denn dort werden die ersten Anfänge der Produktion beginnen, doch mit einer bereiten Verfügbarkeit kann wohl erst im Jahr darauf gerechnet werden.

Die neue Version von DDR soll deutlich schneller sein, und etwa 40 Prozent energieeffizienter werden als sein Vorgänger.

Die ersten Produkte wurden bereits von Samsung und Hynix auf der ISSCC (der International Solid-State Circuits Conference) vorgestellt. So zeigte der Arbeitsspeicher von Hynix ein DDR4-Modul, welches mit 2400 MHz getaktet war und mit einer Spannung von nur 1,2 Volt betrieben wurde. Der RAM von Samsung taktete mit 2133 MHz und ebenfalls mit einer Spannung von 1,2 Volt.

Im Vergleich braucht der momentane DDR3 hier eine Spannung um die 1,3 bis ungefähr 1,5 Volt.

Während Hynix noch in einer Größe von 38 nm (=Nanometer) fertigte, war der Technik-Riese Samsung bereits bei einer Fertigung von 30 nm angekommen.

Andere Hersteller die einen Prototype ihrer Entwicklung zeigten, gab es bislang noch nicht, da es eigentlich sowieso noch keinen Druck gibt, die aktuelle DDR3-Reihe abzulösen.

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